Ein vænleg tækni er hvaða sérfræðingar í Asíu kalla oft TOPCon. Til að koma í veg fyrir misskilning: Í Evrópu er skammstöfunin, sem stendur fyrir "Tunnel Oxide Passivated Contact", í tengslum við þróun Fraunhofer ISE - sérstakan afbrigði af þróuninni.
Fyrir hugtakið, til þess að draga úr recombination tapi úr málmi tengiliðum og sílikon yfirborði frumna, er kynnt þunnt oxíð lag, auk þungt doped polycrystalline sílikon milli málmi tengiliði og wafer.
Flugrekendur, þ.e. rafeindir og heilar, geta göng í gegnum, vegna skammtafræðilegra fyrirbæra. Þetta skapar snertinguna, en diskurinn er betur passivated og endurkomnar tap er verulega dregið samanborið við venjulega tækni.
Skilvirkni klefans er alltaf tengd jafnvægi við að koma á fót góðan snertingu við lágan snerting viðnám og forðast endurkomu taps sem eiga sér stað á öllum málmviðbrögðum svæðum.
Í venjulegum tengiliðum, sem samanstanda af hreinu metallization á diskinum, eru tap há. Valdandi emitter-tækni minnkar nú þegar þetta tap fyrir framan tengilið með því að auka lyfjagjöfina vel undir málminu.
TOPCon er næsta skref: Eins og auka gjöf passiverar oxíðslagið allt kísillplötu yfirborðið samtímis, ef það er að fullu húðuð.
"Helstu búnaður til að mynda TOPCon mannvirki er þegar til," sagði Guangyao Jin, aðalfræðingur í Solamet metallizations hjá DuPont Photovoltaic Solutions, með aðsetur í Shanghai. Reyndar er hægt að nota lágan þrýsting efna gufu útfellingu (LPCVD), plasma efnafræðilega gufuútfellingu (PECVD), eða jafnvel loftþrýstingi efna gufuútfellingu (APCVD).
Eiginleikarétturinn TOPCon lofar sérstaklega eftir málmblanduninni sem mun ákvarða hvort tæknin geti verið flutt í hagkvæman massaframleiðslu, sagði Jin. "Í dag er metallization flöskuhálsinn," sagði hann.
Jin og lið hans eru að vinna með framleiðendum klefi til að hjálpa tækninni að ná árangri og veita nauðsynlega málmlausnarlausnir.
Kröfur um málmvinnslu eru nokkuð frábrugðnar þeim sem eiga við staðlaða tengiliði. Þó að venjulegir tengiliðir í hleypaferlinu, ætti málmurinn að komast í gegnum passivation lagið og snerta sílikon wafer, með TOPCon, það verður að vera yfir oxíð lag.
Fyrir n-gerð frumur, þetta virkar nú þegar vel. Jin áætlar að á næsta ári verði meira en 1,5 GW af n-gerð framleiðslugetu uppfærður til TOPCon í Kína.
Fyrir n-gerð frumur sem nota TOPCon tækni, hafa skilvirkni yfir 23% þegar verið náð, sagði hann, þó að meðaltal skilvirkni sé enn örlítið lægri. "Nú er verkefnið að auka meðaltal skilvirkni með samhæfum ávöxtunarkröfu miðað við PERC mono," hélt hann áfram.
Fyrir p-PERC mónatækni, sem nú er með um 30% markaðshlutdeild, er enn umdeild hvort og hvenær TOPCon verður kynnt í stærri mæli.
Hér virðist erfiðara að veita raunverulegan fjölda fyrir skilvirkni rétt í massa framleiðslu. "Rétturinn við að setja TOPCon á p-gerð ætti að vera svolítið lægri en í n-gerð," sagði Jin. Hins vegar, í tilboðum í tengslum við Kínverska Top Runner forritið, hefur einn sigurvegari sótt um p-gerð TOPCon tækni. Búist er við að uppsetningin verði gerð árið 2019.
Að lokum mun kostnaðurinn sem tengist hagkvæmnihagnaði ákvarða hvort tæknin verði samþykkt eða ekki. Til dæmis hefur mono PERC lægra framleiðslukostnað á watt en staðall multi, samkvæmt nýjustu Bloomberg skýrslunni. Sem slík er það ekki að undra að eftirspurnin að uppfæra framleiðslulínur er há.
Valdandi útblásturstefna er einnig að koma. Jin áætlar að í lok næsta árs hafi um 20 GW af framleiðslugeta PERC-einfrumna verið uppfærður.
Hvort TOPCon kemur eða ekki, "það hefur aldrei verið svo margir möguleikar fyrir forritara," sagði Jin. Til dæmis getur heterojunction keppt við TOPCon, þó að það hafi ókosturinn að það geti ekki þola háan hita sem notuð er í núverandi hefðbundnum málmlausnarlausnum.
Tækni fyrir nýja passivation aðferðin var einnig þróuð af Centrotherm í samvinnu við þýska rannsóknarstofnun, ISFH. Þeir nota hugtakið POLO (Poly-Si-on-Oxide).
Framleiðandi þýska búnaðarins sagði í orku í Taiwan 2018 að það sé aftur með tækni fyrir PERC uppfærslu - fyrirtæki sem langar að mestu leyti af Meyer Burger í Sviss.
