Vörukynning
P-gerð SiC hvarfefni eru hönnuð fyrir hausepitaxial vöxt og þróun öfga-háspennu-afls hálfleiðara tækja. Með framúrskarandi rafmagns- og hitaeiginleikum, þessi háa-afköstSiC undirlager hentugur fyrir krefjandi-aflforrit, þar á meðal ofur-há-orkuflutningur og innviði fyrir snjallnet.
Þessar P-tegundirSiC obláturstyður einnig forrit í járnbrautarflutningum, raforkukerfum í iðnaði og öðrum há-rafmagnsbúnaði þar sem krafist er mikillar-spennugetu, áreiðanleika og skilvirkrar orkubreytingar.
Tæknilýsing
| 6 tommu | |
|---|---|
| Þvermál | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Yfirborðsstefna | 4 gráður í átt<1120>±0,5 gráður |
| Primary Flat Lengd | 47,5 mm±1,5 mm |
| Primary Flat Orientation | <1120>±5,0 gráður |
| Notch stefnumörkun | / |
| Hakhorn | / |
| Hakdýpt | / |
| Þykkt | 350,0um±25,0um |
| Fjöltýpa | 4H |
| Tegund | p-gerð |
| 8 tommu | |
|---|---|
| Þvermál | 200,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Yfirborðsstefna | 4 gráður í átt<1120>±0,5 gráður |
| Primary Flat Lengd | Hak |
| Primary Flat Orientation | / |
| Notch stefnumörkun | <1100>±1,0 gráður |
| Hakhorn | 90 gráður +5 gráður /-1 gráðu |
| Hakdýpt | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Þykkt | 350,0um±25,0um |
| Fjöltýpa | 4H |
| Tegund | p-gerð |
| 12 tommu | |
|---|---|
| Þvermál | 300,0 mm±0,5 mm |
| Yfirborðsstefna | 4 gráður í átt<1120>±0,5 gráður |
| Primary Flat Lengd | Hak |
| Primary Flat Orientation | / |
| Notch stefnumörkun | <1100>±5,0 gráður |
| Hakhorn | 90 gráður +5 gráður /-1 gráðu |
| Hakdýpt | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Þykkt | 750.0um±25.0um |
| Fjöltýpa | 4H |
| Tegund | p-gerð |
Vottorð
maq per Qat: 4H P-Type SiC oblátur, Kína, birgjar, framleiðendur, verksmiðja, framleidd í Kína
