Silicon Wafer

P-gerð SiC hvarfefni eru hönnuð fyrir hausepitaxial vöxt og þróun öfga-háspennu-afls hálfleiðara tækja. Með framúrskarandi rafmagns- og hitaeiginleika er þetta-afkastamikla SiC undirlag hentugur

Hálf-einangrandi SiC hvarfefni bjóða upp á mikla viðnám og framúrskarandi hitaeiginleika, sem gerir þau hentug fyrir GaN heteroepitaxial vöxt og há-tíðni RF hálfleiðara. Sem-afkastamikið SiC

N-gerð SiC hvarfefni eru hönnuð til að vaxa í efri hornhimnu í háþróaðri aflhálfleiðaraframleiðslu. Með yfirburða raf- og varmaafköstum hentar þetta-afkastamikla SiC undirlag fyrir há-orkunotkun í