N gerð kísil sólarsellu

Silicon Heterojunction Technology (HJT) byggir á útvarps- og bakyfirborðssviði (BSF) sem er framleitt með lághitavexti á ofur-þunnum lögum af formlausu kísil (a-Si:H) á báðum hliðum mjög vel

210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) sólarrafhlaða er með 24,4 prósenta skilvirkni og 10,76Watt afl á frumu.

Silicon Heterojunction Technology (HJT) byggir á losunar- og bakyfirborðssviði (BSF) sem er framleitt með lághitavexti á ofurþunnum lögum af myndlausu sílikoni (a-Si:H) á báðum hliðum á mjög vel

TOPCON (tunnel oxe passivated contact) tækni eykur N gerð sólarsellu skilvirkni allt að 25 prósent. Iðnaðar 210mm TOPCon sólarrafhlaða er með hámarks 24,4 prósent skilvirkni og 10,76Watt nafnafli.

TOPCON (tunnel oxide passivated contact) tækni eykur skilvirkni N gerð sólarfrumu allt að 24,5% .Mónokristallað N gerð 182mm TOPCon sólfruma er með álagsafl 8,08Watt við 24,5% skilvirkni. meiri afl

Uppfærð frá PERT tækni, TOPCON (tunnel oxide passivated contact) tækni ásamt AlOx/ SiNx passivation lagi eykur N gerð 166mm sólarfrumu skilvirkni allt að 24,4% .Mónokristallað N gerð 166mm TOPCon

N-gerð einbreið PERT (passivated emitter aftan algerlega dreifður) kísilsólfrumur hefur mikla og stöðuga ummyndunarhagkvæmni. Hægt er að framleiða bifreiða PERT sólarsellu af gerðinni með ferli flæði

N-gerð einhliða PERT (passivated emitter aftan algerlega dreifður) kísilsólfrumur hafa mikla og stöðuga umbreytingarhagkvæmni.N-gerð kísilsólfrumur eru taldar vænlegir kostir við p-gerð sólfrumna

Í interdigitated aftur snertingu (IBC) frumu uppbyggingu emitter og snerting eru bæði á bakhlið wafer sem gerir óháða hagræðingu að framan yfirborði fyrir sjón eiginleika og aftur yfirborð fyrir

N-gerð einhliða PERT (passivated emitter aftan algerlega dreifður) kísilsólfrumur hafa mikla og stöðuga umbreytingarhagkvæmni.N-gerð kísilsólfrumur eru taldar vænlegir kostir við p-gerð sólfrumna