【Vörulýsing】

Silicon Heterojunction Technology (HJT) byggir á losunar- og bakyfirborðssviði (BSF) sem er framleitt með lághitavexti á ofurþunnum lögum af formlausu kísil (a-Si:H) á báðum hliðum mjög vel hreinsaðra einkristallaðra kísilskífa , minna en 160 μm á þykkt, þar sem rafeindir og göt eru ljósmyndaðar.

HJT solar cell structure 400 Profile2

【Ferlsflæði】

Process flow A black

【Lykil atriði】

High Eff og hár Voc

Lágur hitastuðull 5-8 prósent aflframleiðsla

Tvíhliða mannvirki

【Lykil atriði】

Mikil skilvirkni og mikil Voc

Lágur hitastuðull 5-8 prósent aflframleiðsla

Tvíhliða mannvirki

【Tæknilegar upplýsingar】

TÆKNISK GÖGN OG HÖNNUN		HITASTÚÐAR OG LÓÐUNNI
Stærð	166mm*166mm±0.25	TkUoc (prósent /K)	-0.192
Þykkt	150 plús 20 μm/-10 μm	TkIsc (prósent /K)	plús 0.035
Framan	9×0.1mm framrafskaut af suðubletti	TkPMAX ( prósent /K)	-0.236
Til baka	9×0.1mm bakrafskaut af suðupunkti	Hýðingarstyrkur Lágmark	>1,4N/mm

RAFFRÆÐUR í STC
Nei.	Skilvirkni (prósent)	Pmpp (W)	Uoc (V)	Isc (A)	Umpp (V)	Impp (A)	FF ( prósent )
1	24.40	6.69	0.746	10.758	0.644	10.386	83.35
2	24.30	6.66	0.746	10.754	0.644	10.352	83.10
3	24.20	6.63	0.745	10.750	0.643	10.318	82.84
4	24.10	6.61	0.745	10.745	0.643	10.282	82.56
5	24.00	6.58	0.744	10.740	0.642	10.245	82.27
6	23.90	6.55	0.744	10.728	0.642	10.210	82.06
7	23.80	6.52	0.744	10.716	0.641	10.175	81.84
8	23.70	6.50	0.744	10.683	0.642	10.124	81.76
9	23.60	6.47	0.744	10.649	0.642	10.072	81.67
10	23.50	6.44	0.743	10.628	0.640	10.072	81.64
11	23.40	6.41	0.741	10.607	0.637	10.072	81.61
12	23.30	6.39	0.741	10.602	0.635	10.058	81.35
13	23.20	6.36	0.740	10.596	0.633	10.043	81.09
14	23.10	6.34	0.741	10.563	0.635	9.979	80.88
15	23.00	6.31	0.742	10.530	0.636	9.914	80.67
16	22.90	6.28	0.742	10.504	0.635	9.890	80.57
17	22.80	6.25	0.742	10.477	0.634	9.865	80.46
18	22.70	6.23	0.741	10.488	0.632	9.850	80.18
19	22.60	6.20	0.739	10.499	0.630	9.834	79.89
20	22.50	6.17	0.738	10.496	0.629	9.809	79.72
21	22.40	6.14	0.736	10.493	0.628	9.784	79.54