Sú staðreynd að frumutækni með mestu skilvirkni í iðnaðarframleiðslu er byggð á N gerð Cz-Si obláta er sláandi sýning á því hvers vegna n-gerð obláta eru heppilegasta efnið fyrir afkastamiklar sólfrumur. Að fara meira í smáatriði, það eru nokkrar líkamlegar ástæður fyrir yfirburði N tegundar á móti P gerð, þær mikilvægustu eru:
vegna fjarveru bórs er engin niðurbrot á ljósi (LID) sem eiga sér stað í p-gerð Si obláta vegna bór-súrefnisfléttna
þar sem N gerð Si er minna viðkvæm fyrir áberandi óhreinindum úr málmi, eru almennt dreifingarlengdir minnihlutahópa í n-gerð Cz-Si marktækt hærri samanborið við p-gerð Cz-Si
N gerð Si er síður hætt við niðurbroti við háhitaferli eins og B-dreifingu.
1 Efnislegir eiginleikar
Eign | Forskrift | Skoðunaraðferð |
Vaxtaraðferð | CZ | |
Kristöllun | Einkristallaður | Ívilnandi Etch Techniques（ASTM F47-88） |
Leiðni gerð | N-gerð | Napson EC-80TPN |
Dopant | Fosfór | - |
Styrkur súrefnis [Oi] | ≦8E+17 við / cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Styrkur kolefnis [Cs] | ≦5E+16 við / cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Etch holaþéttleiki (dislocation density) | ≦500 cm-3 | Ívilnandi Etch Techniques（ASTM F47-88） |
Yfirborðsstefna | & lt; 100> ± 3 ° | Röntgenmyndunaraðferð (ASTM F26-1987) |
Stefnumörkun gervifyrirtækja | & lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 ° | Röntgenmyndunaraðferð (ASTM F26-1987) |
2 Rafmagns eiginleikar
Eign | Forskrift | Skoðunaraðferð |
Viðnám | 0,2-2,0 Ω.cm 0,5-3,5 Ω.cm 1,0-7,0 Ω.cm 1,5-12 Ω.cm Önnur viðnám | Wafer skoðunarkerfi |
MCLT (líftími minnihlutahóps) | ≧1000 μs (Viðnám> 1Ωsentimetri) | Sinton tímabundið |
3 Rúmfræði
Eign | Forskrift | Skoðunaraðferð |
Rúmfræði | Gervitorg | |
Beygja brún lögun | Umf | |
Wafer stærð (Hliðarlengd * hliðarlengd * þvermál | M0: 156*156*ϕ210 mm M1: 156.75*156.75* ϕ205mm M2: 156.75*156.75* ϕ210 mm | Wafer skoðunarkerfi |
Horn milli aðliggjandi hliða | 90±3° | Wafer skoðunarkerfi |
maq per Qat: N Tegund 156,75mm Einkristallað sólplata, Kína, birgja, framleiðendur, verksmiðja, gerð í Kína
