P-gerð einkristallaður M4 oblátur með víddinni 161,7 mm x 161,7 mm.
1 Efnislegir eiginleikar
Eign | Forskrift | Skoðunaraðferð |
Vaxtaraðferð | CZ | |
Kristöllun | Einkristallaður | Ívilnandi Etch Techniques（ASTM F47-88） |
Leiðni gerð | P-gerð | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant | Bór, Gallium | - |
Styrkur súrefnis [Oi] | ≦8E+17 við / cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Styrkur kolefnis [Cs] | ≦5E+16 við / cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Etch holaþéttleiki (dislocation density) | ≦500 cm-3 | Ívilnandi Etch Techniques（ASTM F47-88） |
Yfirborðsstefna | & lt; 100> ± 3 ° | Röntgenmyndunaraðferð (ASTM F26-1987) |
Stefnumörkun gervifyrirtækja | & lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 ° | Röntgenmyndunaraðferð (ASTM F26-1987) |
2 Rafmagns eiginleikar
Eign | Forskrift | Skoðunaraðferð |
Viðnám | 0,5-1,5 Ωcm | Wafer skoðunarkerfi |
MCLT (líftími minnihlutahóps) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (með inndælingarstigi: 1E15 sentimetri-3) |
3Rúmfræði
Eign | Forskrift | Skoðunaraðferð |
Rúmfræði | Nokkuð ferningur | |
Wafer Hliðarlengd | 161,7 ± 0,25 mm | oblatskoðunarkerfi |
Þvermál wafers | φ221 ± 0,25 mm | oblatskoðunarkerfi |
Horn milli aðliggjandi hliða | 90° ± 0.2° | oblatskoðunarkerfi |
Þykkt | 180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm | oblatskoðunarkerfi |
TTV (heildarþykktarafbrigði) | ≤27 µm | oblatskoðunarkerfi |
4 Yfirborðseiginleikar
Eign | Forskrift | Skoðunaraðferð |
Skurðaraðferð | DW | -- |
Yfirborðsgæði | eins og skorið og hreinsað, engin sýnileg mengun, (olía eða feiti, fingraför, sápublettir, slurry blettir, epoxý / lím blettir eru ekki leyfðir) | oblatskoðunarkerfi |
Sámerki / skref | ≤ 15µm | oblatskoðunarkerfi |
Bogi | ≤ 40 µm | oblatskoðunarkerfi |
Undið | ≤ 40 µm | oblatskoðunarkerfi |
Flís | dýpt ≤0,3 mm og lengd ≤ 0,5 mm Hámark 2 / stk; enginn V-flís | Nakin augu eða skoðunarkerfi obláta |
Örsprungur / göt | Ekki leyft | oblatskoðunarkerfi |
maq per Qat: p gerð m4 einkristallað sólplata, Kína, birgja, framleiðendur, verksmiðja, gerð í Kína
